電腦內(nèi)存與閃存的區(qū)別
如同內(nèi)存在不同應(yīng)用場(chǎng)景中可以分為DDR、LPDDR、GDDR一樣,閃存在不同的設(shè)備中也以不同形式存在,比如SSD、UFS和eMMC。如果你對(duì)數(shù)碼感興趣,很容易想到SSD經(jīng)常在電腦或服務(wù)器中出現(xiàn),而UF...
2025.07.02COPYRIGHT ? 2023
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留言給我iPhone 6時(shí)代TLC首次進(jìn)入到iPhone當(dāng)中,掀起一波查詢閃存類型熱潮。如今QLC降臨,手機(jī)和固態(tài)硬盤(pán)買(mǎi)回來(lái)之后,你是否擔(dān)心會(huì)收到"意外驚喜"?
作為高價(jià)值的精密產(chǎn)品,像搶發(fā)評(píng)測(cè)的數(shù)碼達(dá)人那樣自己動(dòng)手拆解并不現(xiàn)實(shí)。
通過(guò)愛(ài)思助手的"硬盤(pán)詳情"功能可以查看iPhone所用的閃存類型:tlc_3d_g3_2p_256
TLC很容易理解,它的每個(gè)存儲(chǔ)單元可以記憶3個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)。近一段時(shí)間流行的"三進(jìn)制計(jì)算機(jī)"理論其實(shí)也是基于類似的原理,目的都是為了擴(kuò)展數(shù)據(jù)容量。
接下來(lái)的3d_g3在這里指的是東芝第三代BiCS架構(gòu)閃存。
早在2007年,東芝就在IEEE學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了3D閃存技術(shù),并在接下來(lái)推動(dòng)BiCS閃存堆疊層數(shù)的增加以及SSD應(yīng)用的發(fā)展。
同樣的閃存也被應(yīng)用在東芝TR200固態(tài)硬盤(pán)當(dāng)中。BiCS3為64層堆疊結(jié)構(gòu),只有TLC一種類型。
接下來(lái)的2p_256代表的則是一個(gè)閃存device包含兩個(gè)plane閃存平面,總?cè)萘?56Gb。下圖是一個(gè)2Plane閃存的示意圖,不過(guò)它的容量更大,總?cè)萘渴?12Gb。
東芝TR200當(dāng)中的TOSHIBA主控及上面提到的這種512Gb容量BiCS3閃存顆粒。與手機(jī)硬盤(pán)芯片不同的是,固態(tài)硬盤(pán)的主控與閃存顆粒是分開(kāi)的,并沒(méi)有集成在一起。
把上文iPhone XR中檢測(cè)到的硬盤(pán)描述符號(hào)連在一起就明確了,它使用的是東芝制造的BiCS3閃存,雙Plane設(shè)計(jì),單die容量256Gb,由于這是一部128GB的機(jī)型,閃存中實(shí)際封裝有4個(gè)閃存晶粒以及相應(yīng)的閃存控制器。目前96層堆疊的BiCS4閃存已經(jīng)量產(chǎn),或許在今年9月份的iPhone新品以及固態(tài)硬盤(pán)中我們就有機(jī)會(huì)見(jiàn)到它的身影。
如同內(nèi)存在不同應(yīng)用場(chǎng)景中可以分為DDR、LPDDR、GDDR一樣,閃存在不同的設(shè)備中也以不同形式存在,比如SSD、UFS和eMMC。如果你對(duì)數(shù)碼感興趣,很容易想到SSD經(jīng)常在電腦或服務(wù)器中出現(xiàn),而UF...
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