華為新發(fā)布的mate 60手機(jī)芯片使用了3D芯片堆疊技術(shù)，達(dá)到了7納米的芯片技術(shù)水準(zhǔn)，讓華為的手機(jī)芯片繞過(guò)了國(guó)外芯片廠商的打壓和限購(gòu)，重新煥發(fā)新的生機(jī)。

堆疊技術(shù)是指將多個(gè)芯片疊放在一起，以節(jié)省空間和減少制造成本的技術(shù)。這是一種常見的芯片制造工藝，適用于需要高速、低功耗、集成度高的應(yīng)用。

堆疊技術(shù)可以分為以下幾個(gè)步驟：

1.清洗：將芯片表面的污垢清除干凈，以便進(jìn)行后續(xù)操作。

2.預(yù)熱：將芯片加熱到一定溫度，以幫助更好地結(jié)合。

3.涂覆：在芯片表面涂覆一層光刻膠，然后將其暴露在紫外線下，以便進(jìn)行曝光。

4.曝光：將芯片暴露在紫外線下，以將光刻膠轉(zhuǎn)化為化學(xué)物質(zhì)，并將其固定在芯片表面。

5.化學(xué)腐蝕：使用酸性或堿性溶液對(duì)光刻膠進(jìn)行腐蝕，以去除多余的光刻膠并暴露芯片表面。

6.洗滌：用洗滌劑清洗芯片表面，以去除殘留的光刻膠和其他化學(xué)物質(zhì)。

7.干燥：將芯片放在干燥的氣體中，以去除殘留的水分。

8.測(cè)厚：使用顯微鏡或其他工具測(cè)量芯片的厚度，以確保其堆疊緊密。

堆疊技術(shù)可以用于制造各種類型的芯片，包括 CPU、GPU、內(nèi)存等。

堆疊技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)包括節(jié)省空間、減少制造成本、提高集成度和性能等。

然而，堆疊技術(shù)也存在一些缺點(diǎn)，例如堆疊的層數(shù)越多，芯片的性能可能會(huì)受到影響，而且堆疊過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)一些化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致芯片受損。因此，在芯片堆疊過(guò)程中需要進(jìn)行嚴(yán)格的控制和監(jiān)測(cè)。